對于常規VDMOS 器件結構， Rdson 與BV 這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和，這就是常規VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI 的的P 區，大大提高了BV，同時對Rdson 上不產生影響。對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N 型EPI 與body區界面的PN 結，對于一個PN 結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積。常規VDSMO，P body 濃度要大于N EPI，大家也應該清楚，PN 結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body 區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI 在N 型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN 結面，電場強度E 越大。對于COOLMOS 結構，由于設置了相對P body 濃度低一些的P region 區域，所以P 區一側的耗盡區會大大擴展，并且這個區域深入EPI 中，造成了PN 結兩側都能承受大的電壓，換句話說，就是把峰值電場Ec 由靠近器件表面，向器件內部深入的區域移動了。
1.通態阻抗小，通態損耗小。
由于SJ-MOS 的Rdson 遠遠低于VDMOS，在系統電源類產品中SJ-MOS 的導通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統產品上面的單體MOSFET 的導通損耗，提高了系統產品的效率，SJ-MOS的這個優點在大功率、大電流類的電源產品產品上，優勢表現的尤為突出。
2.同等功率規格下封裝小，有利于功率密度的提高。
首先，同等電流以及電壓規格條件下，SJ-MOS 的晶源面積要小于VDMOS 工藝的晶源面積，這樣作為MOS 的廠家，對于同一規格的產品，可以封裝出來體積相對較小的產品，有利于電源系統功率密度的提高。
其次，由于SJ-MOS 的導通損耗的降低從而降低了電源類產品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS 單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內。由于SJ-MOS 可以有效的減少發熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS 后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統電源類產品的功率密度。
3.柵電荷小，對電路的驅動能力要求降低。
傳統VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實際應用中經常會遇到由于IC 的驅動能力不足造成的溫升問題，部分產品在電路設計中為了增加IC 的驅動能力，確保MOSFET 的快速導通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅動電路，從而增加了電路的復雜性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動能力的要求，提高了系統產品的可靠性。
4.節電容小，開關速度加快，開關損耗小。
由于SJ-MOS 結構的改變，其輸出的節電容也有較大的降低，從而降低了其導通及關斷過程中的損耗。同時由于SJ-MOS 柵電容也有了響應的減小，電容充電時間變短，大大的提高了SJ-MOS 的開關速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損耗。提高整個電源系統的效率。這一點尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加
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